特許

J-GLOBAL ID：200903068460202549

高電圧トランジスタ構造及びその形成方法

発明者： アイザック・ベンクーヤ
出願人/特許権者： シリコニックス・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-202597
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204483
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 特に20Vから150Vの電圧の範囲内で動作するトランジスタに適する、余分なマスク及び他の製造工程を必要としない構造を提供する。【構成】 基板に形成された少なくとも2個のドープ領域と1個のゲート電極とを備える少なくとも1個のトランジスタを有する高電圧トランジスタ構造であって、前記基板に形成された第1のフィールドリングと当該第1のフィールドリングから間隔をおいて当該第1のフィールドリングと共に前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第2のフィールドリングとを少なくとも有し、前記第1のフィールドリングと前記第2のフィールドリングとの間にあって前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第1の絶縁されたトレンチを有することを特徴とする高電圧トランジスタ構造。

請求項（抜粋）：

基板に形成された少なくとも2個のドープ領域と1個のゲート電極とを備える少なくとも1個のトランジスタを有する高電圧トランジスタ構造であって、前記基板に形成された第1のフィールドリングと当該第1のフィールドリングから間隔をおいて当該第1のフィールドリングと共に前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第2のフィールドリングとを少なくとも有し、前記第1のフィールドリングと前記第2のフィールドリングとの間にあって前記トランジスタを側方から取り囲むべく前記基板に形成された第1の絶縁されたトレンチを有することを特徴とする高電圧トランジスタ構造。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 321 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開2038-106565
  
• 特開2049-137368