ポリマーメモリセルを形成するための導電性ポリマーのセルフアセンブル

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鈴木正剛 , 佐野良太 , 村松義人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-533933
公開番号（公開出願番号）：特表2007-527620
出願日： 2004年09月16日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

本発明はメモリセルとして利用できる選択的導電性有機半導体(例えば、ポリマー)デバイスを提供する。導電性ポリマー(22)を含むポリマー溶液は導電性電極(26)に関してセルフアセンブルする。最短の導電性経路を実現できるように、処理はセルフアセンブルを行うことができる。方法において、導電面(26)に導電性ポリマー(23)の濃縮液を堆積し、熱と、任意に真空を与えて、導電性ポリマー(22)を有機半導体にセルフアセンブルさせる。有機半導体は、2つもしくはそれ以上の電極を有する構造を形成し、一方で各電極間のパッシブデバイスに沿って有機半導体を利用して、シングル及びマルチセルメモリデバイス内に用いられてよい。パーティションコンポーネントはメモリデバイスと一体化され、以前に形成されたセルに関連づけられた、または以前に形成されたセルの上部への付加的メモリ層の積層とそのプログラミングとを容易にする。

請求項（抜粋）：

有機メモリデバイスであって、情報を記録するための有機半導体材料と、前記情報の記録を促進する、前記有機半導体材料に隣接するパッシブ層と、前記有機半導体材料へアクセスするために前記有機半導体材料を間に挟んだ2つの電極とを含み、前記有機半導体材料は非極性鎖及び一方の電極に位置合せされた反応性端部を含む、有機メモリデバイス。

IPC (5件)：

H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 49/00

FI (5件)：

H01L27/10 449 , H01L29/28 100B , H01L29/28 220Z , H01L29/28 310L , H01L49/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ07 , 5F083GA01 , 5F083GA10 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083PR23 , 5F083ZA21

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