特許

J-GLOBAL ID：200903068466781494

分析用半導体基板の形成方法

発明者： 片野 真希子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037496
公開番号（公開出願番号）：特開2000-234989
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 金属元素の偏析を防止することができ、高い精度で所定密度の金属元素を表面に均一に結合させることができ、金属元素の密度の制御性を向上させることができる分析用半導体基板の形成方法を提供する。【解決手段】 分析用半導体基板(分析用標準半導体ウエーハ)の形成方法において、まずシリコン基板の表面に親水性処理によりSi-OH基を形成する。引き続き、シリコン基板表面のOH基終端と金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンとを反応結合させ、シリコン基板表面に金属元素を含む有機分子層を形成する。金属元素にはNa、Al、Pb、Sn、B、Ti、Mo、W等が含まれる。有機分子層のシリコン基板表面に結合させる金属元素の密度は、金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンと金属元素を含まない炭化水素基を有するシラザンとの混合比を変えることで調節される。

請求項（抜粋）：

少なくとも下記工程を備えたことを特徴とする分析用半導体基板の形成方法。(1)シリコン基板の少なくとも表面に親水性処理によりSi-OH基を形成する工程(2)前記シリコン基板表面のOH基終端と金属元素を含む炭化水素基を有するシラザンとを反応結合させ、前記シリコン基板表面に金属元素を含む有機分子層を形成する工程

IPC (2件)：

G01N 1/28 ,  G01N 1/00 102

FI (2件)：

G01N 1/28 N ,  G01N 1/00 102 B