特許
J-GLOBAL ID：200903068469398705
交流制御装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-518415
公開番号（公開出願番号）：特表平9-502335
出願日： 1993年09月08日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：
【要約】少なくとも2つの逆直列の半導体領域(1、2)により動作する交流制御装置各半導体領域(1;2)はFETが有するような特性曲線において電子ドナー(3;ソース)、電子アクセプタ(4;ドレイン)および電子の流れを制御する電極(5;ゲート)を有する。半導体領域はテクノロジーに結び付けられて内部のボディダイオードをも有する。それぞれ順方向の半導体領域(1;2)においてゲート-ソース間電圧(6;7)が、ドレイン-ソース間電流の所望の制限が行われるような大きさに設定されている。また逆作動中の半導体領域(2;1)においてはゲート-ソース間電圧(7;6)が、、ボディダイオード(8)がまだ無電流であるような大きさに設定されている。
請求項（抜粋）：
少なくとも、電子ドナー(3;ソース)、電子アクセプタ(4;ドレイン)および電子の流れを制御する電極(5;ゲート)およびFETが有するような特性曲線を有し、またテクノロジーに結び付けられて内部のボディダイオードをも有する2つの逆直列の半導体領域(1、2)により動作する交流制御装置において、それぞれ順方向の半導体領域(1;2)においてゲート-ソース間電圧(6:7)が、ドレイン-ソース間電流の所望の制限が行われるような大きさに設定されており、またそれぞれ逆作動中の半導体領域(2;1)においてゲート-ソース間電圧(7;6)が、ボディダイオード(8)がまだ無電流であるような大きさにのみ設定されていることを特徴とする交流制御装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02H 9/02 E
, H03K 17/687 A
