特許

J-GLOBAL ID：200903068470768397

センサ素子の製造方法

発明者： 鹿嶋 孝文 ,  中村 克明 ,  石橋 功成 ,  平川 一美
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-207401
公開番号（公開出願番号）：特開平5-026835
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：

【要約】【目的】 常温又は比較的低温で作動可能な酸素センサとして有用なCuFeTe2等の層状物質を使用したセンサ素子を高生産性で製造する方法を提供し、その大量生産を可能とすることを目的とする。【構成】 セラミック基板11の1面にセンサ素子の大きさを規定する間隔で溝12,13を碁盤目状に形成し、他面に層状物質14と電極物質15とを交互にパターン形成する。そして、前記溝で基板を分割することにより、1連の工程でセンサ素子チップを大量に製造することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁性セラミック基板の一面に素子の大きさを規定する溝を形成し、前記基板の他面にインターカレーション特性を有する層状物質及び電極物質を設け、その後、前記基板をその溝で分割して各素子を得ることを特徴とするセンサ素子の製造方法。