特許
J-GLOBAL ID：200903068475775880
炭素薄膜の製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080138
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279302
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】 大面積にわたって均一かつ優れた表面性を有し、また、強度や電気伝導性等に優れた炭素薄膜(特にフラーレン重合体からなる薄膜)の製造方法、及びその実施の際に使用できる製造装置を提供すること。【解決手段】 Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子を、マイクロ波誘起によって重合してフラーレン重合体を形成し、このフラーレン重合体を基体上に堆積することによって、前記フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する、炭素薄膜の製造方法。Cn (但し、nは前記したものと同様である。)で表されるフラーレン分子の供給源8と、この供給源8から供給されるフラーレン分子13にマイクロ波15を作用させるマイクロ波作用部17と、このマイクロ波15による誘起によって生成するフラーレン重合体14を基体11上に堆積させ、フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する成膜部10とを有する、炭素薄膜の製造装置。
請求項（抜粋）：
Cn (但し、nは幾何学的に球状化合物を形成し得る整数である。)で表されるフラーレン分子を、マイクロ波誘起によって重合してフラーレン重合体を形成し、このフラーレン重合体を基体上に堆積することによって、前記フラーレン重合体からなる炭素薄膜を形成する、炭素薄膜の製造方法。
引用特許：
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