特許

J-GLOBAL ID：200903068477929248

アクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法

発明者： 小泉 真澄 ,  野本 勉 ,  登 正治 ,  伊藤 浩志
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-053005
公開番号（公開出願番号）：特開平5-216069
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 液晶ディスプレイの下基板であるTFTアレイのソース・ドレイン電極の断線を防止し、断線による表示品質低下のない優れたアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板を得る。【構成】 透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、n- アモルファスシリコン半導体層、n+ アモルファスシリコンオーミック層、ソース・ドレイン電極、中間絶縁膜、表示用透明電極、表面保護膜を含むアモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイを有するアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法において、ソース・ドレイン電極を高融点金属のCr膜35,41と配線用Al膜36,42からなる第1のソース・ドレイン電極と、高融点金属のCr膜37,43と配線用Al膜38,44からなる第2のソース・ドレイン電極とで形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、n- アモルファスシリコン半導体層、n+ アモルファスシリコンオーミック層、ソース・ドレイン電極、中間絶縁膜、表示用透明電極、表面保護膜を含むアモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイを有するアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法において、前記ソース・ドレイン電極を高融点金属の第1層膜と配線用第2層膜からなる第1のソース・ドレイン電極と、高融点金属の第3層膜と配線用第4層膜からなる第2のソース・ドレイン電極とで形成することを特徴とするアクティブマトリックス液晶ディスプレイの下基板の製造方法。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784