特許
J-GLOBAL ID：200903068478883896
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267319
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】本発明は、コレクタ領域の不純物濃度を上げてもアバランシェ・ブレイクダウン耐性が大きくなるようにして拡散容量を抑制し、高速動作を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】n型エミッタ領域2と、このn型エミッタ領域2とpn接合するp型ベース領域4と、このp型ベース領域4とpn接合するn型コレクタ領域6とを有する半導体装置において、n型エミッタ領域2から注入される電子のエネルギ分布に対応して、n型コレクタ領域6のバンドギャップEgの幅を電子のエネルギ分布とほぼ同様の形状に変化させ、電子のエネルギーが高くなる位置において、n型コレクタ領域6のバンドギャップEgの幅が広くなるようにする。
請求項（抜粋）：
第1導電型のエミッタ領域と、前記エミッタ領域に接して設けられた第2導電型のベース領域と、前記ベース領域に接して設けられた第1導電型のコレクタ領域とを有する半導体装置において、前記コレクタ領域の少なくとも一部に、前記ベース領域のバンドギャップより広いバンドギャップをもつ領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/165
