特許

J-GLOBAL ID：200903068480608517

半導体装置の製造方法

発明者： 高尾 幸弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164910
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005589
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 下地膜からの反射光による多重反射効果に起因した、レジストパターンの寸法ばらつきを除去し、寸法の均一性の高い素子分離絶縁膜を得る。【構成】 耐酸化性膜として用いるSi3N4膜(13)のパターンニングにおいて、該Si3N4膜(13)上に反射防止膜として適当な膜厚を有するポリシリコン膜(14)を設けて、露光工程を行う。シミュレーションによれば、パッドSiO2膜(12)膜厚=500Å,Si3N4膜(13)膜厚 =1500Å,入射光の波長=435nm,の条件下において、ポリシリコン膜(14)の膜厚を380Åとすることにより、反射率を3%に減少できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にSi3N4膜および反射防止膜を積層して形成する工程と、ホトリソグラフィ-法により、前記反射防止膜上に所定のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして、Si3N4膜および反射防止膜を選択的にエッチングする工程と、前記Si3N4膜を耐酸化性マスクとして用いて、熱酸化を行うことにより選択的に素子分離絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/30 361 T