特許

J-GLOBAL ID：200903068480800515

半導体装置およびその製造方法

発明者： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319102
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163114
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 均質でかつ再現性の良い窒化ガリウム結晶を形成できる半導体装置の製造方法を実現する。【解決手段】 単結晶基板上に酸化亜鉛層を形成した後に、0°Cないし900°Cの温度範囲内で第1の窒化ガリウム結晶を形成し、その後900°Cないし2000°Cの温度範囲内で第2の窒化ガリウム結晶を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に、酸化亜鉛層、第1の窒化ガリウム結晶および第2の窒化ガリウム結晶を順次形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/14