特許

J-GLOBAL ID：200903068485395090

縦型半導体装置およびその製造方法

発明者： 樹神 雅人 ,  上杉 勉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037590
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230414
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 ON抵抗を下げつつ、高耐圧にすることができる縦型MOS電界効果トランジスタを提供すること。【解決手段】 縦型MOS電界効果トランジスタ1は、トレンチ21に埋め込み電極11が埋め込まれている。トレンチ21bの側壁には、選択酸化法により形成された選択酸化膜25がある。これにより、トレンチ21b間に位置するn-型ドリフト領域17の幅Wは、n+型ソース領域13におけるトレンチ21a間の距離Dより小さくなる。

請求項（抜粋）：

縦型半導体装置であって、第1半導体領域、第2半導体領域、第3半導体領域、第4半導体領域および複数のトレンチを備え、前記第1半導体領域は、キャリアを供給し、前記第2半導体領域には、チャネルが形成され、前記第3半導体領域は、キャリアが流れる経路となり、前記第4半導体領域は、キャリアを引き込み、前記トレンチは、互いに間隔を設けて、前記第1半導体領域から前記第2半導体領域をとおり、前記第3半導体領域にわたって形成され、前記トレンチ間に位置する前記第3半導体領域の幅は、前記第1半導体領域における前記トレンチ間の距離より短い、縦型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652

FI (2件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 G