特許
J-GLOBAL ID：200903068491620195
半導体レーザ装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-245615
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111560
出願日： 1994年10月11日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：
【要約】【目的】 量子井戸構造層へ不純物を注入し、無秩序化して窓構造を形成する際、結晶欠陥の発生を少なくするため不純物を注入する加速電圧を低くすることができるようにする。【構成】 量子井戸構造層上に形成する上クラッド層を、第1上クラッド層と第2上クラッド層とからなるように構成し、量子井戸構造層に不純物を注入する際、第1上クラッド層のみを介して注入することができるようにする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板上に形成された第1導電型の下クラッド層と、この下クラッド層上に形成されバリア層とウエル層が交互に積層されてなる量子井戸構造層と、この量子井戸構造層上に形成された第2導電型の第1上クラッド層と、レーザ共振器端面近傍の上記量子井戸構造層に不純物を注入して形成された無秩序化領域と、上記第1上クラッド層上に形成され半導体レーザの共振器方向に伸びるストライプ状の第2導電型の第2上クラッド層及び第2導電型の第1コンタクト層からなるリッジと、上記リッジの周囲の上記第1上クラッド層上に上記リッジを埋め込むように形成された第1導電型の電流ブロック層と、この電流ブロック層及び上記第1コンタクト層上に形成された第2導電型の第2コンタクト層とを備えた半導体レーザ装置。
引用特許：
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