特許
J-GLOBAL ID：200903068493696440
太陽電池素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106865
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299673
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【構成】 p型単結晶シリコン基板1に複数のスルーホール2を設け、このシリコン基板1裏面側のスルーホール2近傍にn領域3を設け、このn領域3の近傍にp+ 領域4を設け、このp+ 領域4部に正電極6を設け、前記n領域部に負電極5を設け、前記シリコン基板1の表面側とスルーホール2部の表面にパシベーション層、電子引付層、および反射防止層を順次設けた太陽電池素子において、前記n領域3のスルーホールからの長さaをp+ 領域4の長さbに対して0.4以下にした。【効果】 スルーホール2の壁面近傍で発生したキャリアのうち多数キャリアが越えなければならないn領域3上の距離が短くなり、多数キャリアがp+ 領域4に達する確率が高くなって、太陽電池の効率が格段に向上する。
請求項（抜粋）：
p型単結晶シリコン基板に複数のスルーホールを設け、このシリコン基板裏面側のスルーホール近傍にn領域を設け、このn領域の近傍にp+ 領域を設け、このp+ 領域部に正電極を設け、前記n領域部に負電極を設け、前記シリコン基板の表面側とスルーホール部の表面にパシベーション層、電子引付層、および反射防止層を順次設けた太陽電池素子において、前記n領域のスルーホールからの長さをp+ 領域の長さに対して0.4以下にしたことを特徴とする太陽電池素子。
引用特許：
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