特許
J-GLOBAL ID：200903068495002348
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-003910
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197561
出願日： 2004年01月09日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】ALD法によるシリコン酸化膜の成膜方法及びALD法によるシリコン酸化膜の成膜装置に関し、配管腐食等の問題が生じないようにする。【解決手段】500°C以下の低温の処理温度で均質かつコンフォーマルなシリコン酸化膜を形成するために、トリエトキシシランと、オゾンなどの活性な酸素を交互に処理室に供給して、基板にシリコン酸化膜を成膜する半導体装置の製造方法と製造装置を提供する。また、処理ガスとしてトリエトキシシランとオゾン(O3)、酸素(O2)、N2O等を用いており、Cl原子を含まないガスを用いているので、配管腐食等の問題も生じることがない。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板を収容し処理する処理室と、
前記処理室に第1に処理ガスとしてトリエトキシシランを供給する第1のガス供給手段と
、
前記処理室に第2に処理ガスとしてオゾンを供給する第2のガス供給手段と、
を有する基板処理装置であって、
前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスを交互に処理室内に供給し基板を処理すること
を特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030KA49
, 4K030LA15
, 5F058BC02
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF29
審査官引用 (1件)
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薄膜半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-040476
出願人：東亞合成化学工業株式会社
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