半導体レーザ装置の製造方法およびリードカット方法とリードカット用金型

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：板垣孝夫 , 森本義弘 , 笹原敏司 , 原田洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-109282
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294657
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：

【課題】縦n個×横m個のような多数個採りのリードフレームを用いながら、その後の検査で支障を来たすことなく、コストダウンを図ることができ、また、切りクズが発生しない半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部とリード端子が設けられたリード形成部とを有する部分を同じ向きで複数列でかつ複数行に連結したリードフレームを作成するリードフレーム作成工程P1と、前記リードフレームを前記列毎に切断して単列で短冊状の複数の分割リードフレームに1次カットする短冊カット工程P6とを含む。この製造方法により、縦n個×横m個のような多数個採りのリードフレームを採用できて、材料利用効率を上げてコストダウンを図ることができながら、分割リードフレームに対して従来と同様な検査装置を用いてスクリーニングおよび特性検査することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子を搭載する素子搭載部とリード端子が設けられたリード形成部とを有する部分を同じ向きで複数列でかつ複数行に連結したリードフレームを作成するリードフレーム作成工程と、前記リードフレームを前記列毎に切断して単列で短冊状の複数の分割リードフレームに1次カットする短冊カット工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/022 , H01L 23/48 , H01S 5/00

FI (3件)：

H01S5/022 , H01L23/48 Y , H01S5/00

Fターム (4件)：

5F173MA10 , 5F173MC01 , 5F173MD70 , 5F173ZM10

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021277 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
特開平4-260360号公報

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