半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284584
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142564
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【構成】Si層(3)にそれぞれ狭い間隔を置いて隣接する幅の狭い複数本の溝(5)を形成する工程と、溝(5)の各側壁を酸化して、各溝(5)の間の幅の狭い側壁をすべて側壁酸化膜(6)に変化させるとともに、各溝(5)を側壁酸化膜(6)で充填し、埋込酸化膜(7)からなる絶縁領域を形成する工程とを有する構成。【効果】半導体層中に幅の広い酸化膜からなる絶縁領域を形成する場合、結晶欠陥の発生を抑制することができ、その結果、リーク電流の発生や分離耐圧の低下を防止することができるので、製造歩留りを向上することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にそれぞれ狭い間隔を置いて隣接する幅の狭い複数本の溝を形成する工程と、前記溝の各側壁を酸化して、前記各溝の間の幅の狭い前記側壁をすべて酸化膜に変化させるとともに、前記各溝を前記酸化膜で充填し、前記酸化膜からなる絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 21/316 , H01L 21/762 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/76 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-208842
特開平1-286436
特開昭59-132142

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