半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-124560
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318399
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】順耐圧と同等の逆耐圧を確保できる薄いドリフト領域を有するPT型の逆阻止IGBTなどの半導体装置とその製造方法を提供する。【解決手段】コレクタ電極25側に第2トレンチ溝22を形成し、この第2トレンチ溝22の表面に酸化膜24を被覆し、ポリシリコン24を充填し、第2トレンチ溝22に挟まれた箇所に第2nバッファ領域17を形成し、逆バイアス時の空乏層の伸びが第2nバッファ領域17を飛び越してn- ドリフト領域19へ広がるようにすることで、順耐圧と同等の逆耐圧をPT型構造で得ることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体基板の第1主面の表面層に形成された半導体基板より高不純物濃度の第1導電形の第1バッファ領域と、該第1バッファ領域の表面層に形成した第2導電形のベース領域と、前記第1主面の表面から前記第1バッファ領域を貫通し、前記半導体基板に達する第1トレンチ溝と、前記ベース領域の表面層に形成され前記第1トレンチ溝の側面と接し、選択的に形成された第1導電形のエミッタ領域と、前記第1トレンチ溝の表面に形成されたゲート絶縁膜と、前記第1トレンチ溝を埋め込むようにゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記エミッタ領域上および露出した前記ベース領域上に形成されたエミッタ電極と、前記半導体基板の第2主面の表面層に形成された半導体基板より高不純物濃度の第1導電形の第2バッファ領域と、前記第2主面の表面から前記第2バッファ領域を貫通し前記半導体基板に達する第2トレンチ溝と、前記第2バッファ領域の表面層全域に形成され前記第2トレンチ溝の側面と接する第2導電形のコレクタ領域と、前記第2トレンチ溝の表面に形成された絶縁膜と、前記第2トレンチ溝の絶縁膜上に形成された導電層と、前記第2トレンチ溝の絶縁膜上、導電膜上および前記コレクタ領域上に形成されたコレクタ電極とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 655 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 653 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 655 B , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 653 A , H01L 29/78 658 A

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