特許

J-GLOBAL ID：200903068533378047

半導体装置の製造方法

発明者： 浅野 恭典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-126562
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326726
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【構成】半導体基板上の部材上の一部に耐液層堆積膜を形成する工程と、液層堆積法を用いて前記部材上に絶縁膜を堆積する工程と、前記耐液層堆積膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。【効果】本発明を用いると、信頼性が高い半導体装置を提供できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の部材上の一部に耐液層堆積膜を形成する工程と、液層堆積法を用いて前記部材上に絶縁膜を堆積する工程と、前記耐液層堆積膜を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/28