特許
J-GLOBAL ID：200903068535024110
温度補償型圧電発振器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 南山 知広
, 西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193781
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033329
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】ノイズの発生源を有せず、高温部と低温部での温度補償を独立して行うことができるより精度の高い温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。【解決手段】水晶発振回路(110)と、水晶発振回路に接続された低温度用MOS容量素子(130)と、水晶発振回路に接続された高温度用MOS容量素子(140)とを並列接続し、温度検出信号を生成するための温度検出回路(150、160)と、低温度用バイアス信号を生成する低温度用バイアス信号生成回路(180)と、高温度用バイアス信号を生成する高温度用バイアス信号生成回路(170)とを有することを特徴とする。低温度用MOS容量素子による低温度領域の温度補償と、高温度用MOS容量素子による高温度領域の温度補償を独立して行えるように構成した。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
温度補償型圧電発振器であって、
圧電発振回路と、
前記圧電発振回路に接続された低温度用MOS容量素子と、
前記圧電発振回路に接続された高温度用MOS容量素子と、
温度検出信号を生成するための温度検出回路と、
前記温度検出信号と協同して、前記低温度用MOS容量素子による前記圧電発振回路の発振周波数における低温度領域の温度補償を行うための低温度用バイアス信号を生成する低温度用バイアス信号生成回路と、
前記温度検出信号と協同して、前記高温度用MOS容量素子による前記圧電発振回路の発振周波数における高温度領域の温度補償を行うための高温度用バイアス信号を生成する高温度用バイアス信号生成回路とを有することを特徴とする温度補償型圧電発振器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5J079AA04
, 5J079BA02
, 5J079BA35
, 5J079BA44
, 5J079CB01
, 5J079DA14
, 5J079DB01
, 5J079FA05
, 5J079FA14
, 5J079FA17
, 5J079FA21
, 5J079FB03
, 5J079GA09
