特許

J-GLOBAL ID：200903068536758371

超電導素子

発明者： 小田川 明弘 ,  榎本 陽一 ,  吉川 修一
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  松下電器産業株式会社 ,  三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-270861
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126836
出願日： 1993年10月28日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、素子形状を選ばず高いIc(ジョセフソン電流値)×Rn(準粒子抵抗値)を再現性良く、かつ簡便に作成することができる超電導素子を提供するものである。【構成】 本発明の超電導素子は、基板上に設けられた超電導体の材料がR元素、Ba、Cu、M元素からなる酸化物で、RBa2(Cu1-xMx)3O7なる化学式(ここでR元素は、Ce、Pr、Tbを除く原子番号57から71番までのランタノイド元素およびYのうち少なくとも1つからなり、M元素は、原子番号22から31番までの金属元素およびAlのうち少なくとも1つからなる。)で表される123系酸化物超電導体で構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた超電導体からなる超電導素子において、超電導体の材料がR元素(ここでRは、Ce、Pr、Tbを除く原子番号57から71番までのランタノイド元素およびYのうち少なくとも1つからなる。)、Ba、Cu、M元素(ここでMは、原子番号22から31番までの金属原子およびAlのうち少なくとも1つからなる。)からなる酸化物で、RBa2(Cu1-xMx)3O7なる化学式で表される123系酸化物超電導体であることを特徴とする超電導素子。

IPC (5件)：

C23C 14/08 ,  C01G 53/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/12 ZAA ,  H01L 39/22 ZAA