特許
J-GLOBAL ID:200903068540438039
プラズマを用いて基板上に塗布された有機配向膜を除去し、これを再生する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
前田 均
, 西出 眞吾
, 大倉 宏一郎
, 佐藤 美樹
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-527507
公開番号(公開出願番号):特表2005-506562
出願日: 2001年10月08日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【解決手段】電極に印加される高周波電源によりプラズマを発生するプラズマチャンバー装置を用いて、ガラス基板上に塗布された有機配向膜を除去しこれを再生する方法として、前記有機配向膜の塗布されたガラス基板を前記プラズマの反応チャンバー内に投入する段階と、前記プラズマ反応チャンバー内の圧力を100〜1000mTorr程度で維持させる段階と、前記反応チャンバー内にO2 を含むF系の高反応性ガスを投入しながら前記圧力を維持させる段階と、前記プラズマチャンバー装置の電極に対象基板によって1〜10キロワットの電源を印加してF系/O2 プラズマを発生させる段階と、前記プラズマにより励起されたラジカルイオンを前記有機配向膜と化学反応させることにより、CO、CO2 、NO、NO2 、H2 Oなどの気体状態に分解する段階と、前記分解された気体を排出する段階とを含むことを特徴とするガラス基板上に塗布された有機配向膜の除去及びこれを再生する方法が開示される。
請求項(抜粋):
電極に印加される高周波電源によりプラズマを発生するプラズマ装置を用いてガラス基板上に塗布された有機配向膜を除去し、これを再生する方法であって、
前記有機配向膜の塗布されたガラス基板を前記プラズマ反応チャンバー内に投入する段階と、
前記プラズマ反応チャンバー内の圧力を100〜1000mTorr程度で維持させる段階と、
前記反応チャンバー内にO2 を含むF系の高反応性ガスを投入しながら前記圧力を維持させる段階と、
前記プラズマチャンバー装置の電極に対象基板によって1〜10キロワットの電源を印加してF系/O2 プラズマを発生させる段階と、
前記プラズマにより励起されたラジカルイオンを前記有機配向膜と化学反応させることにより、CO、CO2 、NO、NO2 、H2 Oなどの気体状態に分解する段階と、
前記分解された気体を排出する段階とを含むことを特徴とするガラス基板上に塗布された有機配向膜の除去及びこれを再生する方法。
IPC (5件):
G09F9/00
, G02B5/20
, G02F1/1333
, G02F1/1337
, H01L21/3065
FI (5件):
G09F9/00 351
, G02B5/20 101
, G02F1/1333 500
, G02F1/1337
, H01L21/302 104H
Fターム (25件):
2H048BA02
, 2H048BA11
, 2H048BB14
, 2H048BB42
, 2H090HB08Y
, 2H090HC18
, 2H090HC19
, 2H090JB02
, 2H090JC09
, 2H090JC20
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB23
, 5G435AA00
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435EE37
, 5G435KK05
, 5G435KK10
引用特許:
引用文献:
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