特許
J-GLOBAL ID:200903068541640559
薄膜磁気デバイス
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 青木 博昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-039389
公開番号(公開出願番号):特開2008-205179
出願日: 2007年02月20日
公開日(公表日): 2008年09月04日
要約:
【課題】特性の劣化を十分に抑制できる薄膜磁気デバイスを提供すること。【解決手段】基板1と、基板1の一方の主面1a側に設けられる絶縁膜7と、基板1の主面1a側に設けられる薄膜コイル4と、基板1の主面1a側に設けられ、薄膜コイル4によって形成される磁路中に配置される金属磁性層2とを備えており、金属磁性層2が、互いに離間して配置される複数の本体部5と、複数の本体部5のうち隣接する本体部5同士を連結する連結部6とを有する薄膜磁気デバイス100。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板の一方の主面側に設けられる絶縁膜と、
前記基板の前記主面側に設けられる薄膜コイルと、
前記基板の前記主面側に設けられ、前記薄膜コイルによって形成される磁路中に配置される金属磁性層とを備えており、
前記金属磁性層が、
互いに離間して配置される複数の本体部と、前記複数の本体部のうち隣接する本体部同士を連結する連結部とを有する、薄膜磁気デバイス。
IPC (2件):
FI (3件):
H01F17/04 F
, H01F17/00 C
, H01F17/00 B
Fターム (5件):
5E070AA01
, 5E070AB01
, 5E070BA11
, 5E070CB12
, 5E070CB13
引用特許:
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