半導体発光装置

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044451
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254732
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電流注入用の電極を、再結合により発生する光を隠さないように配置して、発光効率の低下が生じない半導体発光装置を提供する。【構成】GaAs基板101上に形成されたn型クラッド層102と、このn型クラッド層102に設けられたn側電極105と、n型クラッド層102が形成された側のGaAs基板101上に形成され、n側電極105、およびn側電極105の周りのn型クラッド層102を囲み、且つ活性層103を介して、n型クラッド層102とコンタクトするp型クラッド層104と、このp型クラッド層104に設けられたp側電極106とを備えた。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1導電型の化合物半導体層と、この第1導電型の化合物半導体層に設けられた第1の電極と、前記第1導電型の化合物半導体層が形成された側の前記基板上に形成され、前記第1の電極およびこの第1の電極の回りの前記第1導電型の化合物半導体層を囲む第2導電型の化合物半導体層と、この第2導電型の化合物半導体層に設けられた第2の電極とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-038073
特開平1-236680
特開昭50-017186

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