特許

J-GLOBAL ID：200903068542786824

電界効果トランジスタ

発明者： 河野 康孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021470
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗金属層上にオーミック金属(AuGe)層が連続して積層され、かつゲート抵抗が熱処理により増大しないゲート構造を有する電界効果トランジスタを得る。【構成】 ゲート電極を構成する低抵抗金属層であるAu層7と、オーミック金属であるAuGe/Ni/Auよりなるオーミック金属層9aの間の金属の相互拡散を防止し、熱処理によるゲート抵抗の増大を抑制するために金層7とオーミック金属9aとの間にバリアメタル層としてTiN層8を設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

多層金属層からなるゲート電極を備えた電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極を構成する低抵抗金属層と、この上層のオーミック金属層との間に熱処理時の反応を抑制するバリアメタル層を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90