特許

J-GLOBAL ID：200903068549735753

半導体光反射層

発明者： 小濱 剛孝 ,  天野 主税 ,  岩村 英俊
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037090
出願日： 1991年07月29日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 高反射を維持しかつ低抵抗素子を実現する。【構成】 n型GaAs結晶基板1上にAlAsからAl0.2Ga0.8Asまで膜厚周期λ/(n1+n2)(ここでn1=3.46,n2=2.98,λ=0.86μm)のsin関数にしたがう30周期の屈折率分布を有する第1の光反射層2を形成し、続いてn-Al0.3Ga0.7As層3,活性層として3対のAl0.2Ga0.8As/GaAs超格子層4,p-Al0.3Ga0.7As層5からなる全体が発振波長の光学膜厚の2倍であるキャビティー層を形成した後、AlAsからAl0.2Ga0.8Asまで膜厚周期λ/(n1+n2)前記のsin関数にしたがう20.5周期の屈折率分布を有する第2の光反射層6を形成し、最後にp++-GaAsコンタクト層7を形成し、続いてAuZnNi/Auのp-電極8を形成する。次にポリイミド9を用いた素子平坦化を行った後、GaAs結晶基板1を光反射層2まで選択的にエッチングし、レーザ射出部分を形成し、次にn-電極10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に前記半導体基板の主面に垂直な膜厚方向に対して屈折率を周期的に変化させることにより構成される半導体光反射層において、前記半導体光反射層中に屈折率を膜厚方向に対して連続かつ滑らかに分布させる屈折率分布を持たせたことを特徴とする半導体光反射層。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/085

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-173685
  
• 特開平1-184972
  
• 特開昭64-046996
  
• 特開平3-239386