特許
J-GLOBAL ID：200903068551653802
酸化物単結晶基板の製造方法、及び電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272529
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086400
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：
【要約】【課題】 原子レベルで平坦でかつ結晶性の良好な基板表面を有する酸化物単結晶基板を効率良く安価にかつ安定して製造できる製造方法、及び結晶性の良好な酸化物超伝導体薄膜または酸化物絶縁体薄膜を有する電子デバイスを提供する。【解決手段】 (a)酸化物単結晶基板の表面を研磨する研磨工程、(b)酸化物単結晶基板に液体中にて超音波振動を与えて、研磨による応力が残留した表面部分を除去する表面除去工程、(c)表面除去後の酸化物単結晶基板を熱処理する熱処理工程を含む。これらの工程を経た酸化物単結晶基板上に酸化物超伝導体薄膜あるいは酸化物強誘電体薄膜をエピタキシャル成長させることにより、酸化物単結晶基板の表面に結晶性の良好な酸化物超伝導体薄膜または酸化物絶縁体薄膜を形成することができ、これにより酸化物超伝導体薄膜または酸化物絶縁体薄膜を用いた高品質の電子デバイスを得ることができる。
請求項（抜粋）：
酸化物単結晶基板の表面を研磨する研磨工程と、酸化物単結晶基板に液体中にて超音波振動を与えて、研磨による応力が残留した表面部分を除去する表面除去工程と、表面除去後の酸化物単結晶基板を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする酸化物単結晶基板の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 33/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 3/00
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
C30B 33/00 ZAA
, C30B 29/22 501 K
, H01B 3/00 F
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA W
