特許

J-GLOBAL ID：200903068554378853

窒化ガリウム系化合物半導体積層物およびその製造方法

発明者： 三木 久幸 ,  桜井 哲朗 ,  武田 仁志
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-021456
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244209
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 良好な発光出力と低駆動電圧を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造に有用な窒化ガリウム系化合物半導体積層物を提供すること。【解決手段】 基板上にn型層、活性層およびp型層が、活性層をn型層とp型層が挟むように配置され、活性層が厚膜部および薄膜部からなる窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、活性層の下面(基板側)は平坦であり、上面の凹凸により厚膜部および薄膜部が構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板上にn型層、活性層およびp型層が、活性層をn型層とp型層が挟むように配置され、活性層が厚膜部および薄膜部からなる窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、活性層の下面(基板側)は平坦であり、上面の凹凸により厚膜部および薄膜部が構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。

IPC (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2件)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233442   出願人：理化学研究所, 田中悟
• GaN系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155838   出願人：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
• 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに量子箱の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-236669   出願人：三洋電機株式会社
• 米国特許出願公開US2003/0160229A1号明細書
  

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181573   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-038324   出願人：株式会社東芝
• 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法及び化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-090607   出願人：スタンレー電気株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267827   出願人：日亜化学工業株式会社