半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273816
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139355
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】プラスチックファイバーを利用した短距離光通信に使用される0.6μm 帯の受光素子において、大受光径・高速特性・高量子効率を有する素子を提供する。【構成】光吸収層にi-GaAs、表面再結合防止用の窓層としてAlGaInPを、また正孔のパイルアップ防止用として両者の間にAlGaAsを挿入した化合物半導体材料によるPIN-PDを構成する。また、上記光通信には、アライメントフリーにするためより大きな受光径が必要とされるが、これによる容量増加と素子帯域がトレードオフの関係にあり、大受光径・広帯域を実現することが難しい。そこで、素子構造内に2つのpn接合を形成することで容量の低減を図り、素子特性を改善した。

請求項（抜粋）：