特許
J-GLOBAL ID:200903068557397832
金属Siの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小谷 悦司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281546
公開番号(公開出願番号):特開2001-097708
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月10日
要約:
【要約】【課題】 炭素による汚染のない高純度金属Siを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 金属Siを製造するにあたり、原料としてSiO粉末を用い、800°C以下に加熱して水素還元する。上記SiO粉末の粒径は1mm以下であることが望ましい。
請求項(抜粋):
原料としてSiO粉末を用い、800°C以下に加熱して水素還元することを特徴とする金属Siの製造方法。
Fターム (11件):
4G072AA01
, 4G072BB05
, 4G072GG03
, 4G072HH13
, 4G072JJ01
, 4G072MM01
, 4G072RR04
, 4G072RR17
, 4G072TT01
, 4G072UU01
, 4G072UU02
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