特許
J-GLOBAL ID：200903068557539629
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238535
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082731
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】酸化タンタル膜を容量絶縁膜とする容量構造体において、リーク電流の少ない構造及び製造方法を提供する。【構成】ストレージノード電極106,酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜107を形成した後、窒化チタン膜,チタン膜,およびアルミニウム系金属膜を順次堆積し、窒化チタン膜とチタン膜との積層膜からなる第1のプレート電極108aとアルミニウム系金属膜からなる第2のプレート電極108bとを形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン系材料からなる下層電極,酸化タンタル膜からなる容量絶縁膜,および上層電極により構成された容量構造体を有する半導体装置において、前記上層電極が、少なくとも前記容量絶縁膜を覆う窒化チタン膜を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01B 3/12 312
, H01L 29/46
