特許

J-GLOBAL ID：200903068557554253

スパッタリング成膜方法、成膜製品及びスパッタリング装置の電子流量調節装置

発明者： 畑 朋延 ,  南部 信政
出願人/特許権者： 株式会社ライク ,  畑 朋延
代理人 (1件)： 西 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-244690
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】スパッタリング成膜において、最適安定放電を可能にするとともに、放電熱電子による下地の損傷を最小限にし、特にカーボン薄膜を低温で成膜する手段を提供することにより、従来のDLC成膜条件では製造不可能な熱容量が小さくかつ耐熱性に乏しい繊維表面などの改質を可能にする成膜方法とその成膜製品を提供する。【解決手段】スパッタリング成膜を行う真空槽1内のターゲット3と基材10との間の放電プラズマを囲むようにマグネット4を配置したマグネトロン・スパッタリング成膜装置の基材10に近接して、冷却可能な高導電率表面体7を配置し、この熱電子吸引部材7で基材10近傍の余剰な熱電子をアノード側に逃がすことにより、基材10の温度上昇を抑制しつつ成膜を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

マグネトロン・スパッタリング成膜装置の真空槽内に当該真空槽の槽壁に抵抗器を介して又は介さないで電気的に接続された高導電性表面を備えた熱電子流吸引装置を配置し、アノードとなる下地ホルダで下地材料となる繊維布その他の有機質基材を保持し、カソードとして炭素ターゲットを配置し、前記熱電子流吸引装置で所望のスパッタ条件を満たすスパッタ電子流がカソードターゲットとアノード間に流れるように、放電で生ずる余剰な熱電子流を放電プラズマ中から吸収除去して成膜することを特徴とする、電磁界圧着型スパッタリング成膜方法。

IPC (3件)：

C23C14/34 ,  B32B9/00 ,  D06M11/74

FI (3件)：

C23C14/34 S ,  B32B9/00 A ,  D06M11/74

Fターム (19件)：

4F100AA37B ,  4F100AD11B ,  4F100AK01A ,  4F100EH66B ,  4F100EJ58 ,  4F100GB51 ,  4K029AA11 ,  4K029AA23 ,  4K029BA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BA41 ,  4K029BB02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC00 ,  4K029DC43 ,  4L031BA02 ,  4L031CB14 ,  4L031DA00 ,  4L031DA11