特許
J-GLOBAL ID：200903068564196907
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-035499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252139
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 多層配線構造を有する半導体集積回路装置において、下層配線上に層間絶縁膜を介在して形成される上層配線間の短絡を防止する。また、前記集積回路装置の製造工程数を低減する。【構成】 前記半導体集積回路装置の製造方法において、層間絶縁膜3上にフォトレジスト膜4を形成する工程と、収束イオンビーム5を照射し、照射領域3A、感光領域4Aの夫々を形成する工程と、感光領域4Aを除去し、照射領域3Aの表面が露出する開口6を形成する工程と、照射領域3Aを選択的に除去して溝7を形成する工程と、フォトレジスト膜4上及び溝7内に導電材8を形成する工程と、フォトレジスト膜4を除去すると共に、このフォトレジスト膜4上の導電材8を除去し、溝7内に形成された導電材8で下層配線9を形成する工程と、下層配線9上及び層間絶縁膜3上に層間絶縁膜10を形成する工程と、層間絶縁膜10上に上層配線15を形成する工程とを備える。
請求項（抜粋）：
第1層間絶縁膜上に下層配線が形成され、この下層配線上に第2層間絶縁膜を介在して上層配線が形成される半導体集積回路装置の製造方法において、下記の工程(イ)乃至(チ)を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。(イ)第1層間絶縁膜上にフォトレジスト膜を形成する工程、(ロ)前記第1層間絶縁膜の主面部に前記フォトレジスト膜を通して収束イオンビームを照射し、前記第1層間絶縁膜にこの第1層間絶縁膜に比べてエッチング速度が速い照射領域、前記フォトレジスト膜に感光領域の夫々を形成する工程、(ハ)前記フォトレジスト膜の感光領域を除去し、前記第1層間絶縁膜の照射領域の表面が露出する開口を形成する工程、(ニ)前記第1層間絶縁膜に異方性エッチングを施し、第1層間絶縁膜の照射領域を選択的に除去して溝を形成する工程、(ホ)前記フォトレジスト膜上及び溝内にこの溝の深さに相当する膜厚で導電材を形成する工程、(ヘ)前記フォトレジスト膜を除去すると共に、このフォトレジスト膜上の導電材を除去し、溝内に形成された導電材で下層配線を形成する工程、(ト)前記下層配線上及び第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程、(チ)前記第2層間絶縁膜上に上層配線を形成する工程。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
