特許
J-GLOBAL ID：200903068565057072
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327967
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313082
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 有効面積率を向上した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体チップ72を固着し外部接続用電極となるアイランド61、61Aとそのアイランド61、61Aから延在形成され隣接するアイランド上に固着した半導体チップ72の他の外部接続用電極となる複数のリード端子62、63、62A、63Aとからなるフレーム64が連結バーによって複数の列方向に配置されたリードフレームの各アイランド上に導電ペーストを付着して半導体チップ72を固着し、隣接するリード端子と電気的に接続して、半導体チップ、及びリード端子を被覆しアイランド及びリード端子の反主面を露出するようにリードフレーム上に樹脂層を形成し、半導体チップが固着されたアイランドと半導体チップと電気的に接続されたリード端子とを囲む領域で個々に分割する。
請求項（抜粋）：
半導体チップを固着するアイランドと、前記アイランドに先端を近接する複数のリード端子と、前記前記半導体チップの表面に形成した電極パッドと前記リード端子とを電気的に接続する接続手段と、前記半導体チップを含めて、前記アイランドとリード端子とを封止してパッケージ外形を形成する絶縁材料とを具備し、前記アイランドと前記リード端子とは分離しており、前記パッケージ外形の少なくとも一部は前記絶縁材料が硬化した後に切断された面によって構成する事を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/48
, H01L 23/28
, H01L 23/50
H01L 23/48 P
, H01L 23/28 Z
, H01L 23/50 B
