特許
J-GLOBAL ID：200903068566114789
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081102
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275775
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子の実装密度を高めるとともに、耐振動性を改善し、かつ耐熱性を改善して宇宙搭載機器への採用を可能にした半導体装置を得る。【構成】 板状をしたモジュールプレート11に半導体素子1を搭載し、その表裏面に半導体素子に接続された接続用パターン13,14を有する単位ユニット20と、これら接続用パターン13,14を相互に電気接続する異方性導電性の緩衝部材21とで構成される。複数個の単位ユニット20を積層し、かつ各単位ユニット20間に異方性導電性の緩衝部材21を介挿して積層構造とすることで、半導体素子1の実装密度を高め、かつ緩衝部材21により振動を吸収して耐振動性を改善する。また、半導体素子1の熱をモジュールプレート11を通して放熱し、耐熱性を改善する。
請求項（抜粋）：
板状をしたモジュールプレートに半導体素子を搭載し、その表裏面に前記半導体素子に接続された接続用パターンを有する単位ユニットと、複数の単位ユニット間に介挿されて前記接続用パターンを相互に電気接続する異方性導電性の緩衝部材とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
, H01L 25/00
