特許

J-GLOBAL ID：200903068567179000

ダイナミックランダムアクセスメモリ及びその作動方 法

発明者： ウォンチャン キム
出願人/特許権者： ウォンチャン キム
代理人 (1件)： 広瀬 文彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352993
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198169
出願日： 1991年12月17日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 従来のディラムセルコンデンサより小さい容量で情報貯蔵が可能になるようなDRAMセルを提供する。【構成】 一つの情報記憶用コンデンサC1と、ビット線BLの情報を記録用ワード線WLの制御信号によってコンデンサに連結或いは遮断する一つのスイッチング素子SWと、コンデンサに記憶された電圧と所定の基準電圧とを増幅してビット線に印加する一つの増幅/スイッチング素子S/Aを包んでなり、情報記録の際は、記録用ワード線WWに連結された制御端子3を通してスイッチを閉じるようにしてビット線の電圧を情報記憶用コンデンサC1に記憶させ、情報判読の際は、判読用ワード線WRに制御電圧を印加し、この電圧にコンデンサに貯蔵された電圧が加えられた電圧と所定の基準電圧が共に増幅/スイッチング素子の入力電圧になるようにし、増幅/スイッチング素子の出力電圧を感知して記憶された情報を判読する。

請求項（抜粋）：

情報が貯蔵され情報が判読されるディラム(DRAM)セルであって、一つの情報記憶用コンデンサと、前記コンデンサとビット線との間に連結されビット線上の情報を記録用ワード線の制御信号によって前記コンデンサに連結し遮断する一つのスイッチング素子と、前記コンデンサとビット線との間に連結され前記コンデンサに貯蔵された電圧と所定の基準電圧を増幅/スイッチングして前記ビット線に印加する一つの増幅/スイッチング素子とを包んで成る多値DRAMセル。