特許

J-GLOBAL ID：200903068567649082

半導体受光素子

発明者： 水島 宜彦 ,  中嶋 和利 ,  廣畑 徹 ,  飯田 孝 ,  藁科 禎久 ,  杉本 賢一 ,  鈴木 智子 ,  菅 博文
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095131
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 光の波長により受光素子を使い分けせずに、広い波長範囲で光感度を有する受光素子を実現する。【構成】 半絶縁性GaAs基板11 は光電変換機能とキャリア輸送機能を兼ねる活性領域となり、この基板表面上には一対の表面電極21 ,22 が数μmの間隔で左右対称に向合って形成されており、この部分が受光部となる。さらにこれら表面電極は有効受光面積率を稼ぐために櫛型構造をしている。GaAs基板の背面上には第3電極として背面電極23 を設け、表面の受光部以外の部分は、GaAs基板11 と表面電極との間に絶縁薄膜3が設けられている。表面電極21 と22 間には電源71 から数Vのバイアス電圧が印加され、表面電極と背面電極間には基板の縦方向の内部電界が0.5KV/cm以上になるようにバイアス電圧が印加される。その結果GaAsのエネルギ帯間隙に相当する波長より長波長光と短波長光に対する光感度を同程度にすることができる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性であるIII-V族化合物半導体を活性層基板とし、この基板表面上に実質的に左右対称な一対の電極を配置し、これら電極間に外部からバイアス電圧を印加する手段と、さらに、この基板の背面上に第3の電極を設け、該電極対との間の内部電界が0.5ないし2.5kV/cmの範囲になるように、別のバイアス電圧を印加する手段により、光の入射によって発生したキャリヤが、該内部電界によって、第3電極と上記電極対との間の媒質内を、ドリフト走行するようになされた構造によって、光感度を有し、かつその光感度を第3電極によって制御できることを特徴とする半導体受光素子。

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-281478
  
• 特開昭62-145866
  
• 特表昭61-502854