半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082319
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283922
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】一定且つ良好な特性を持つ薄膜トランジスタ等の半導体素子を基板上に比較的容易に形成する。【解決手段】基板上にシリコン膜を形成する成膜工程と、該シリコン膜中でドナー又はアクセプタとして振る舞うことが無く且つシリコン膜を非晶質化することが可能な元素をシリコン膜に所定量注入する注入工程と、該元素が注入されたシリコン膜に熱を加えることにより結晶化させてポリシリコン膜を形成する熱処理工程と、該ポリシリコン膜を用いて半導体素子を形成する素子形成工程とを備える。

請求項（抜粋）：

基板上にシリコン膜を形成する成膜工程と、該シリコン膜中でドナー又はアクセプタとして振る舞うことが無く且つ前記シリコン膜を非晶質化することが可能な元素を前記シリコン膜に所定量注入する注入工程と、該元素が注入されたシリコン膜に熱を加えることにより結晶化させてポリシリコン膜を形成する熱処理工程と、該ポリシリコン膜を用いて半導体素子を形成する素子形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 Q , H01L 21/265 P , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平3-280434
特開平2-140915
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-086986 出願人：日産自動車株式会社

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