特許

J-GLOBAL ID：200903068571332700

光記憶再生装置

発明者： 棚橋 豊
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259883
公開番号（公開出願番号）：特開平5-073920
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 再生デューティ比のずれに起因した再生クロック信号生成の不安定さと、エッジ検出ずれの問題を解消し、情報再生時の弁別タイミングマージンの向上を図る。【構成】 位相差検出回路7において再生エッジ信号と再生クロック信号との位相差を検出し、情報マーク前縁部に対応した前縁位相差信号を再生クロック回路10に供給することにより、再生クロック信号の生成位相を補正制御し、また、情報マーク後縁部に対応した後縁位相差信号を再生パルス化回路4に供給することにより再生エッジ信号後縁のデューティ補正制御を行う。

請求項（抜粋）：

集光された光ビームにより記憶媒体上に形成された情報マークの前後縁エッジ位置を検出し再生エッジ信号を得る再生エッジ検出手段と前記再生エッジ信号に位相同期した再生クロック信号を生成する再生クロック生成手段とを備え前記再生クロック信号により前記再生エッジ信号をタイミング弁別して記憶情報の再生を行う光記憶再生装置であって、前記情報マークの前後縁エッジに対応した前記再生エッジ信号と前記再生クロック信号とのタイミングずれ量(位相差)を検出し前縁位相差信号と後縁位相差信号を得る位相差検出手段と、前記前縁位相差信号を前記再生クロック生成手段への位相補正信号として供給し前記情報マーク前縁エッジに対応した前記位相補正信号での検出位相差が最小となるように前記再生クロックの生成タイミングの補正制御を実行する再生クロック位相補正制御手段と、前記後縁位相差信号を前記再生エッジ検出手段へのデューティ補正信号として供給し前記情報マーク後縁エッジに対応した前記デューティ補正信号での検出位相差が最小となるように前記再生エッジ信号における後縁エッジ検出タイミングを補正制御するデューティ補正制御手段とを含むことを特徴とする光記憶再生装置。

IPC (3件)：

G11B 7/00 ,  G11B 20/14 321 ,  G11B 20/14 351