特許
J-GLOBAL ID：200903068578285074
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139055
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、シリコン半導体基板或いは多結晶シリコン層に対する低抵抗で且つ薄いシリサイド電極層を再現性良く形成する。【構成】 シリコン半導体基板1上に薄い第1の金属膜2を堆積して、熱処理することにより第1の金属シリサイド層3を形成し、次いで、第1の金属シリサイド層3上に第1の金属よりもシリサイド化温度の低い第2の金属膜4を堆積させたのち熱処理を行い第2の金属とシリコンとからなる第2の金属シリサイド層5を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板上に第1の金属の薄膜を堆積して、熱処理することにより第1の金属シリサイド層を形成し、次いで、前記第1の金属シリサイド層上に第1の金属よりもシリサイド化温度の低い第2の金属の薄膜を堆積させたのち熱処理を行い、前記第2の金属とシリコンとからなる第2の金属シリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
