圧電素子、インクジェットヘッド及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153406
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347618
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】圧電素子において結晶性及び(001)面結晶配向性の良好なペロブスカイト型酸化物からなる圧電体層を形成して、この圧電素子の特性ばらつきを低減するとともに、耐電圧及び信頼性を向上させる。【解決手段】基板11上に、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなる第1の電極層14を設け、この第1の電極層14上に、立方晶系又は正方晶系のストロンチウムを含むペロブスカイト型酸化物(チタン酸ストロンチウム等)からなる配向制御層15を形成して、該配向制御層15を(100)面又は(001)面に優先配向させ、この配向制御層15上に、菱面体晶系又は正方晶系のペロブスカイト型酸化物(PZT等)からなる圧電体層16を形成して、該圧電体層16を(001)面に優先配向させる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた第1の電極層と、該第1の電極層上に設けられた配向制御層と、該配向制御層上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2の電極層とを備えた圧電素子であって、上記第1の電極層は、チタン又は酸化チタンを含有する貴金属からなり、上記配向制御層は、立方晶系又は正方晶系の(100)面又は(001)面に優先配向した、ストロンチウムを含むペロブスカイト型酸化物からなり、上記圧電体層は、菱面体晶系又は正方晶系の(001)面に優先配向したペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とする圧電素子。

IPC (8件)：

H01L 41/09 , B41J 2/045 , B41J 2/055 , B41J 2/16 , H01L 41/08 , H01L 41/18 , H01L 41/22 , H01L 41/24

FI (7件)：

H01L 41/08 L , B41J 3/04 103 A , B41J 3/04 103 H , H01L 41/18 101 Z , H01L 41/22 Z , H01L 41/22 A , H01L 41/08 D

Fターム (13件)：

2C057AF65 , 2C057AF93 , 2C057AG44 , 2C057AG52 , 2C057AG55 , 2C057AP02 , 2C057AP14 , 2C057AP25 , 2C057AP31 , 2C057AP52 , 2C057AQ02 , 2C057BA03 , 2C057BA14

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