特許

J-GLOBAL ID：200903068589754637

化合物半導体単結晶の製造方法

発明者： 山本 裕正 ,  宮崎 英輝
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012063
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206589
出願日： 1994年01月10日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、単結晶育成技術、特に液体封止チョクラルスキー法を適用した長尺の化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【構成】 高圧容器内のヒーターの周囲に断熱材を備えている単結晶製造装置を使用し、不活性雰囲気下、該高圧容器内のヒーター中に配置したルツボ中で原料と液体封止材を融解し、次いで、ヒーターで加熱温度を制御し前記原料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら種結晶を引き上げて、単結晶の成長を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、炉内ガスの循環によりルツボ底部を冷却する手段を有する単結晶製造装置を使用して化合物半導体単結晶を育成する。【効果】 LEC法により単結晶を育成するにあたり、断熱材の下部に隙間を設け、炉内ガスの循環を利用することにより、ルツボ底部が冷却され長尺の単結晶が歩留まりよく育成できる。

請求項（抜粋）：

高圧容器内のヒーターの周囲に断熱材を備えている単結晶製造装置を使用し、不活性雰囲気下、該高圧容器内のヒーター中に配置したルツボ中で原料と液体封止材を融解し、次いで、ヒーターで加熱温度を制御し前記原料融液に種結晶を浸漬してルツボと種結晶をそれぞれ回転しながら種結晶を引き上げて、単結晶の成長を行う化合物半導体単結晶の製造方法において、炉内ガスの循環によりルツボ底部を冷却する手段を有する単結晶製造装置を使用して化合物半導体単結晶を育成することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 27/02 ,  C30B 29/40 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208