特許

J-GLOBAL ID：200903068590299412

不良解析装置

発明者： 下間 五六 ,  小池 英巳 ,  今井 郷充 ,  武藤 博幸 ,  永井 秀卓
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040146
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253182
出願日： 2003年02月18日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】SEMで観察する試料表面以外にはダメージを与えないで、検査の終わったウエハを再びラインに戻して使用でき、歩留まりを向上できる不良解析装置を提供することにある。【解決手段】イオンビームを照射して試料を加工する収束イオンビーム装置10と、収束イオンビーム装置10により加工された箇所に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡20と、走査型電子顕微鏡20による電子ビーム照射と同時に、この電子ビーム照射位置よりも広い範囲に、収束イオンビーム装置10による加工時のイオンビームの加速電圧よりも低い加速電圧にてArイオンシャワーを照射するイオンシャワー装置30を備える。このイオンシャワーの照射により、上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって上記試料表面がチャージアップするのを防止し、走査型電子顕微鏡20による電子ビーム照射によって発生した二次電子を検出し、画像表示する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

イオンビームを照射して試料を加工する収束イオンビーム装置と、この収束イオンビーム装置により加工された箇所に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡と、この走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって発生した二次電子を検出し、画像表示する不良解析装置において、 上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射と同時に、この電子ビーム照射位置よりも広い範囲に、上記収束イオンビーム装置による加工時のイオンビームの加速電圧よりも低い加速電圧にてイオンシャワーを照射するイオンシャワー装置とを備え、 このイオンシャワーの照射により、上記走査型電子顕微鏡による電子ビーム照射によって上記試料表面がチャージアップするのを防止することを特徴とする不良解析装置。

IPC (4件)：

H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66

FI (4件)：

H01J37/28 B ,  H01J37/20 H ,  H01L21/66 C ,  H01L21/30 502V

Fターム (16件)：

4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106BA02 ,  4M106BA03 ,  4M106CA70 ,  4M106DB05 ,  4M106DB18 ,  4M106DE01 ,  4M106DE02 ,  4M106DE21 ,  4M106DE23 ,  5C001BB07 ,  5C001CC04 ,  5C001CC08 ,  5C033UU03 ,  5C033UU10