特許

J-GLOBAL ID：200903068592536829

オフアクシススパッタ装置のためのガスマニホールド

発明者： フエイス,デイーン・ウイレツト ,  マイヤーズ,カーステン・エリザベス
出願人/特許権者： イー・アイ・デユポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
代理人 (1件)： 小田島 平吉 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-524985
公開番号（公開出願番号）：特表平11-500184
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】スパッタガン、ターゲット(25)、基板(1)、ガス流手段(21)と囲い室を有する無機酸化化合物のオフアクシスマグネトロンスパッタ堆積のための改良装置であり、改良は、基板(1)とターゲット(25)の間に位置付けられた中空ガス流マニホールド(27)を具備し、マニホールドにおいて少なくとも一つのガス入口と少なくとも一つのガス出口(28)を備え、該出口(28)は、基板の方向において、ターゲットからガス流を指向させるように位置付けられる改良装置と、そのような堆積のためのプロセスが、開示される。

請求項（抜粋）：

スパッタガン、ターゲット、基板、ガス流手段と囲い室を有する無機酸化化合物のオフアクシスマグネトロンスパッタ堆積のための改良装置において、基板とターゲットの間に位置付けられた中空ガス流マニホールドを具備し、マニホールドにおいて少なくとも一つのガス入口と少なくとも一つのガス出口を備え、該出口は、基板の方向において、ターゲットからガス流を指向させるように位置付けられている改良装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  C23C 14/34 ,  H01J 37/34

FI (3件)：

C23C 14/35 Z ,  C23C 14/34 M ,  H01J 37/34

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Practical high Tc Josephson junctions and dc SQUIDs operating above 85K