特許
J-GLOBAL ID：200903068593928828
露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150410
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326743
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】限界解像付近で生じるパターン寸法の変動を低減し、簡易で寸法制御精度の高いパターン形成のための露光方法の提供。【解決手段】露光用フォトマスクに含まれる種々の寸法及び疎密度の遮光パターンの露光方法において、基板上に形成されるパターンの寸法に対して、投影倍率を考慮したマスク上のパターン寸法に、パターン寸法及びパターンの形状によらず一律の負のバイアス量を与えることにより、それぞれの遮光パターンを所望の寸法通りに形成する。バイアス量の決定は、マスクパターン寸法と設計値通りの寸法を与える露光量との関係を各種遮光パターンについて実験及びシミュレーション等の手段により求め、各種遮光パターンの前記関係の収束範囲を求め、この範囲中より最適バイアス量及び最適露光量を決定する。
請求項（抜粋）：
マスク上のパターンを投影露光装置により半導体基板上に転写する露光方法であって、前記マスクは、異なるパターン寸法、及び異なる形状の少なくともいずれかのパターン群を含み、前記半導体基板上に形成されるパターンの寸法に対して、投影倍率を考慮したマスク上のパターン寸法の方が、パターン寸法及びパターンの形状によらず、一律に小さいパターンから構成される、ことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 515 F
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
