特許
J-GLOBAL ID：200903068594276115
シリコン基板の製造方法および結晶質シリコン太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-056831
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268242
出願日： 1993年03月17日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は結晶質シリコン基板の製造方法と、結晶質シリコン太陽電池に関するものであって、特に従来に比べて薄いシリコン基板を製造できること、あるいは低コストな基板を採用できることによって、低コストな結晶質シリコン太陽電池を提供することを目的としている。【構成】 支持基板1上に形成したシリコンの微粒子堆積層16を高温プラズマ12、ハロゲンランプ13で加熱、結晶化し、支持基板1から剥離、除去することで、例えば厚さが10μmの結晶質シリコン基板18を製造する。
請求項（抜粋）：
真空中、もしくは不活性ガス雰囲気中、もしくは水素ガス雰囲気中においてシリコン部材を蒸発させて微粒子を生成するとともに、支持基板上に前記微粒子の堆積層を形成する工程と、前記堆積層を表面から加熱することで緻密な結晶質シリコン基板とする工程と、前記シリコン基板を支持基板から剥離する工程とが、前記記述工程順に真空中、もしくは不活性ガス雰囲気中での一連の連続工程によって構成されるシリコン基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/20
, H01L 21/205
