紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273709
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221341
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】微弱な紫外線を高速動作によって検出し、紫外線に対して十分な増倍率があり、且つ、S/N比も良好である紫外線検出用シリコンAPDを提供する。【構成】紫外線の入射する側から順にp+ 型層、n型層、n- 型層及びn+ 型シリコン基板を有し、且つ、シリコンの紫外線に対する吸収係数をαとしたとき、p+ 型層が0.7/α以上の厚さを有していることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオードにおいて、紫外線の入射する側から順にp+ 型層、n型層、n- 型層及びn+ 型シリコン基板を有し、且つ、シリコンの前記紫外線に対する吸収係数をαとしたとき、前記p+ 型層が0.7/α以上の厚さを有していることを特徴とする紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード。

IPC (3件)：

H01L 31/107 , G01J 5/20 , H01L 31/09

FI (2件)：

H01L 31/10 B , H01L 31/00 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭53-116795
特開平3-091968
特開昭53-116795

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