特許

J-GLOBAL ID：200903068599084532

M×Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法

発明者： 池 政範 ,  閔 雇基
出願人/特許権者： 大宇電子株式會▲社▼
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228460
公開番号（公開出願番号）：特開平7-151984
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 製造時間が短く、工程数が低減されると共に、制御し易いM×Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法を提供する。【構成】 二つのセラミックウェハを準備するステップ、溝を形成するステップ、前記二つのセラミックウェハを結合してセラミックブロックを形成するステップ、前記セラミックブロックから複合セラミック構造を形成するステップ、M×N信号電極70およびM×Nアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステップと、前記複合セラミック構造を能動基板72上に付着するステップ、続いてM+1個のフォトレジスチブネックトセグメントを付着するステップ、プラットフォームを付着するステップ、光反射層を形成するステップ、該光反射層を前記プラットフォームを含みM×Nミラーアレー84にパターン付けるステップおよび前記フォトレジスチブネックトセグメントを除去するステップを含む。

請求項（抜粋）：

光投射型システムに用いるM×Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法であって(MとNは正の整数)、(a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平滑な上下面を有する第1セラミックウェハを準備するステップと、(b) 各々のM個の溝は一対の側面および下面を有し、隣接する二つの溝はそれらのあいだに位置した上面を有するバリアにより分離される垂直方向のM個の溝を、前記第1セラミックウェハの平滑な全上面に形成するステップと、(c) 前記エレクトロディスプレーシブ物質からなり、平滑な上下面を有する第2セラミックウェハを準備するステップと、(d) 前記第2セラミックウェハを前記ステップ(b) によって処理するステップと、(e) 前記ステップ(b) によって処理された第1および第2セラミックウェハの平滑な全上面を、各々のM個の溝の一対の側面および下面を含み、電気的非導電性接着剤で被覆するステップと、(f) 前記ステップ(b) 〜(e) によって処理された前記第1および第2セラミックウェハを、前記第1セラミックウェハ内の前記バリアの上面が前記第2セラミックウェハ内の前記溝の下面と接触するように結合することによって、上下面を有するセラミックブロックを形成するステップと、(g) 前記セラミックブロックの上下面を前記第2セラミックウェハ内の溝の下面および前記第1セラミックウェハ内のバリアの上面が完全に除去されるまで、ポリッシングして、平滑な上下面を有する複合セラミック構造をうるステップであって、前記複合セラミック構造はエレクトロディスプレーシブ物質のM+1個のブロックおよびM個の境界層を含み、各々のブロックは一対の境界層により水平方向に境界付けられ、各々の境界層は電気的非導電性接着剤に分離された一対の側面からなり、前記一対の側面のうちの一つは、前記第1セラミックウェハに含まれ、他の一つの側面は前記第2セラミックウェハに含まれるステップと、(h) M個の境界層のうちの一つと一致し、二つの隣接するブロックと重ねる垂直方向の中央線を有する各々の信号電極からなるM×N信号電極アレーを前記複合セラミック構造の平滑な下面に形成するステップと、(i) 前記ステップ(g) 〜(h) によって処理された前記複合セラミック構造を前記各々のM×N信号電極が相応する各々のM×N接続端子と接触するようにした、基板、トランジスタアレーおよび接触端子アレーを有する能動基板上に付着するステップと、(j) 前記ステップ(g) 〜(i) によって処理された前記複合セラミック構造の平滑な全上面を上面を有する前記導電性金属層で被覆するステップと、(k) 前記層の上面に、各々のフォトレジスチブネックトセグメントが各々の相応する一つのブロックと垂直方向へ整列するようにM+1個のフォトレジスチブネックトセグメントを付着するステップと、(l) 前記M個の境界層を除去することによって、各々固定された長さの水平方向のN-1個の溝をさらに有する垂直方向のM個の溝を前記ステップ(h) 〜(k)によって処理された前記複合セラミック構造の平滑な上面に形成して、M×Nアクチュエーティング部材アレーを生成するステップと、(m) 前記ステップ(g) 〜(l) によって処理された前記複合セラミック構造の平滑な全上面をM個の溝を含んでエポキシで被覆することによって、平滑な上面を有するプラットフォームを形成するステップと、(n) 光反射層を前記プラットフォームの平滑な上面に設けてミラー層を形成するステップと、(o) 前記光反射層およびプラットフォームを含む、前記ミラー層をM×Nミラーアレーでパターニングするステップと、(p) 前記M+1個のフォトレジスチブネックトセグメントを除去するステップと、(q) 電気的接続を完成して、前記M×Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーを形成するステップとを含むことを特徴とするM×Nエレクトロディスプレーシブアクチュエーテッドミラーアレーの製法。