特許
J-GLOBAL ID：200903068599736734
半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236260
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143982
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】ウェーハ処理におけるロット間CD偏差の低減を図る。【解決手段】フォトレジストの後で適用されるようなウェハーの検査、露光、および現像の間に収集した情報をフォトリソグラフィー工程が施される後続のロットにフィードバックし、検査されたウェハーに施される次の工程(すなわちエッチング工程)を調整するための情報をフィードフォワードする。測定されたパラメータは、素子の波形を通じて、ステッパー焦点や露光設定値のようなフォトリソグラフィー調整パラメータに関連づけされる。測定パラメータが設計寸法を逸脱する場合には、後続のロットの偏差を補正するために光セルへとフィードバックされる。更に測定パラメータはオーバエッチングおよび/またはエッチング化学作用のためのエッチングレシピのようなエッチング工程調整パラメータにも関連づけされ、関連づけされた誤差補正エッチング手法がエッチング装置にフィードフォワードされる。
請求項（抜粋）：
前記ウェハー上で第1工程を実行し;前記第1工程を使用して前記ウェハー上に形成された目的素子の臨界寸法(CD)および目的波形を得るために撮像し;前記目的波形に基づき第2工程のための一連のパラメータ値を決定し;前記第2工程パラメータ値に基づいて前記ウェハー上で前記第2工程を実行する;ことを含む半導体ウェハー工程を制御する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/02 Z
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 516 A
