特許

J-GLOBAL ID：200903068601489715

半導体基板の洗浄方法

発明者： トレース キュー.ハード ,  ポール ダブリュ.マーテンズ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275084
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板表面の清浄度を向上し、洗浄処理に要する時間、器材及び化学薬品を低減する洗浄方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の洗浄方法は、半導体基板を微粒子除去処理するステップ(ステップ102)と、半導体基板を概略2〜6のpH値の溶液中で洗浄とすすぎ洗いとを同時に行うステップ(ステップ104及び106)と、半導体基板を乾燥させるステップ(ステップ108)、とからなる。半導体基板を乾燥するステップは、マランゴニ法、回転乾燥、もしくは蒸気可能によって行われる。好ましくは、乾燥ステップは、すすぎ洗いステップ直後に半導体基板を不活性気体と有機蒸気とからなる雰囲気に曝すことによって行われ、有機蒸気は好ましくは、窒素、アルゴン、ヘリウム、及びそれらの任意の組合せからなる群から選択される。溶液には、HCl、HNO3 、H3 PO4 、H2 SO4 、HF、HBr、HI、H2 CO3 及び酢酸からなる群から選択される酸が含まれる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を洗浄する方法であって、半導体基板を粒子除去処理するステップと、上記半導体基板を概略2〜6の範囲のpH値を有する溶液の中で洗浄とすすぎ洗いを同時に行うステップと、前記半導体基板を乾燥させるステップと、を含むことを特徴とする方法。