特許
J-GLOBAL ID：200903068603828649
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302690
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140139
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】チップをフレームに貼り付けるダイボンディング工程において、1台のチップマウンタ装置でフェイスアップ式マウントおよびフェイスダウン式マウントを行う。【解決手段】チップマウンタ装置に、半導体チップ2の表裏を反転させる機構を有するダイ反転ステージ9を備え、このダイ反転ステージ9の反転機構を切り換えることによって、フレーム13のチップ搭載領域に半導体チップ2の主面を接して貼り付けるフェイスダウン式マウントと、フレーム13のチップ搭載領域に半導体チップ2の裏面を接して貼り付けるフェイスアップ式マウントとを行う。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体チップを吸着、保持するピックアップヘッドを備えたダイ移送ユニットと、前記半導体チップの表裏を反転させる機構を備えたダイ反転ステージと、前記半導体チップをフレームに圧着するマウントステージおよびマウントヘッドとを備えたチップマウンタ装置を用いて、前記半導体チップを前記フレームに貼り付けるダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記ダイ反転ステージの反転機構を切り換えることにより、前記フレームのチップ搭載領域に前記半導体チップの主面を接して貼り付けるフェイスダウン式マウントと、前記フレームのチップ搭載領域に前記半導体チップの裏面を接して貼り付けるフェイスアップ式マウントとを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 F
, H01L21/60 311T
